règles de voiture BYD émises classe IGBT4.0: véhicules électriques équipés de « puce Chine »

10 décembre BYD a tenu « la technologie IGBT serait résolu » à Ningbo, province du Zhejiang, la technologie de IGBT4.0 officiellement publié, BYD a un point de repère important dans le domaine du niveau de conformité des véhicules, a également annoncé que BYD a investi massivement dans la mise en page plus excellente performance du premier trois générations de matériau semi-conducteur SiC (carbure de silicium), et devrait lancer équipé d'une commande électronique SiC de la voiture électrique en 2019, et devrait 2023, les voitures électriques BYD seront entièrement équipées avec SiC à commande électronique, la rupture du marché IGBTs est des géants internationaux la situation de monopole.

Si nous sommes une meilleure compréhension des véhicules électriques, l'IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor, grille isolée transistor bipolaire) est absolument pas ouvert autour du sujet, tandis que le IGBTs est appelé un des dispositifs électroniques de puissance « CPU », est un grand des dispositifs électroniques d'alimentation de puissance, principalement utilisés pour l'entraînement du circuit inverseur et l'autre inverseur, la tension continue est inversée en courant alternatif de fréquence variable. Comme les composants de base de la conversion de l'énergie et de la transmission, le contrôle direct IGBT de courant continu, la conversion AC, déterminer le couple du système d'entraînement (affecter directement l'accélération du véhicule), la puissance de sortie maximale (affecte directement la vitesse maximale du véhicule), etc., est de résoudre le problème du manque d'énergie et la technologie clé pour réduire les émissions de carbone.

Comme l'un de la nouvelle puissance des appareils électroniques grand public, IGBT dans le transport ferroviaire, réseau intelligent, les véhicules aérospatiale, électriques, de nouveaux équipements d'énergie, et les zones industrielles (où la haute tension élevée AC de courant et à la conversion en courant continu et commande de fréquence variable) des applications très larges, est la technologie de base de ces applications. À l'heure actuelle, BYD est la seule société en Chine a une chaîne industrielle complète des prix des voitures IGBTs: comprend la conception de la puce IGBT et la fabrication, la conception modulaire et la fabrication de plate-forme d'applications de test de composants à haute puissance, alimentation électrique et de commande électrique.

niveau de la technologie BYD IGBT4.0 IGBT pour créer les règles de voiture de référence

Il est entendu que les composants de base des nouveaux véhicules d'énergie, IGBT représentent généralement environ 5% de la comptabilisation des coûts des véhicules et IGBT en raison de difficultés techniques, des investissements élevés, a longtemps freiné la commercialisation à grande échelle de véhicules à énergie nouvelle. Déjà en 2003, a commencé la mise en page de BYD voitures électriques prévit la technologie IGBT sera un développement influence clé des véhicules électriques, et mettre en place l'équipe de R & D, tous les aspects de la construction de la ligne de production fortement investi, la mise en page en silence de l'industrie IGBT, après plus d'une décennie dans le travail, BYD a développé avec succès de nouveaux produits niveau réglementaire voiture IGBT4.0, un niveau de jauge de référence de voiture de IGBTs, et la perte sur la puce, la capacité du vélo température du module, la capacité actuelle de production et d'autres indicateurs clés, BYD IGBT4.0 produits atteignent le monde premier niveau.

Indicateurs techniques:

perte de puce: BYD IGBT4.0 produits complète de perte par rapport au marché actuel des produits grand public a diminué d'environ 20%, ce qui rend le véhicule pour réduire la consommation d'énergie. Pour toute une nouvelle génération de Tang, par exemple, dans le cas d'autres conditions demeurent inchangées, l'utilisation de BYD IGBT4.0 que d'utiliser le marché actuel IGBT grand public, une centaine de kilomètres moins de consommation d'énergie est d'environ 3%.

capacité cycle de température: cycle de température des modules de produits IGBT4.0 de vie peut être fait plus de 10 fois le marché actuel des produits grand public.

la capacité de sortie de courant: IGBT4.0 équipé avec les modules de la série V-315 dans le même état augmenté de 15% par rapport à la capacité de sortie de courant des produits courants actuels du marché, a plus forte accélération du véhicule de support.

Pour briser le monopole des géants internationaux pour promouvoir le développement de nouvelles industries automobile énergétique de la Chine

À l'heure actuelle, le développement rapide de l'industrie des batteries, BYD a émergé en tant que représentant de nombreuses entreprises de la batterie interne, ce qui entraîne le développement de la batterie de puissance mondiale. Selon les statistiques, en 2017 la production de la batterie domestique atteint 44.5GWh (Source: Institut d'ingénierie de la production de lithium et de la recherche (GGII) « 2017 développement de l'industrie de la batterie de la Chine rapport »), essentiellement répondre aux exigences d'adaptation des nouveaux véhicules d'énergie. Cependant, le développement de la Chine a sérieusement IGBTs retard par rapport à la grave pénurie IGBT-end de la capacité de production, la dépendance à long terme sur les géants internationaux, ce qui « un noyau dur à trouver. »

Selon l'un des trois distributeurs principaux composants électroniques statistiques Future Electronics (Future Electronics LTD) du monde: en 2018, le cycle de livraison des véhicules neufs d'énergie utilisés dans le module IGBT a atteint jusqu'à 52 semaines (IGBT de cycle de livraison normale le cas de 8-12 semaines). Le 2018--2022 mondial nouveau taux de croissance annuel composé de la production de véhicules d'énergie de 30%, mais le taux de croissance annuel composé sur le même niveau de sortie IGBT règles voiture période de seulement 15,7% (industrie IGBTs dans son ensemble sur la même période a été de 8,2%). Il est prévisible que le niveau quelques années offre IGBTs la régulation du marché automobile mondial deviendra plus intense.

Septembre 2009, puce BYD IGBTs par l'identification de la branche des réalisations scientifiques et technologiques de l'électronique réussie de la Chine Electrical Equipment Association industrielle, l'organisation du pouvoir, marquant les Chinois pour réaliser une percée dans la technologie de la puce IGBT, rompt le monopole des géants internationaux. A partir de Novembre 2018, il a demandé des brevets 175 igbt, dont 114 brevets délivrés.

La troisième génération de matériau semi-conducteur tel que la génération de mise en page SiC puce électrique de voiture changement de plomb

Pendant longtemps, la technologie de base de IGBT est toujours entre les mains des fabricants étrangers, selon les données pertinentes montrent que le marché IGBTs de la Chine a été monopolisé par les géants internationaux, la part de 90% dans les mains de Infineon, Mitsubishi et d'autres géants d'outre-mer, mais dans certains segments domaines (comme indicateur de niveau de terrain de voiture), la force de BYD en tant que représentant de la Chine et les entreprises grand public international peut en un niveau élevé. En 2009, BYD a lancé IGBTs, marquant les Chinois pour réaliser une percée dans la technologie IGBT, brisant le monopole des géants internationaux de la technologie, pour la promotion de l'industrie de la puce de la Chine et le développement de nouvelles industrie automobile de l'énergie a un impact de grande envergure.

Merci aux réalisations dans le domaine des IGBTs, des performances extraordinaires BYD nouveaux véhicules d'énergie pour être débarqué avec succès, et a la capacité de poursuivre la mise à niveau itérative. BYD a beaucoup investi dans l'agencement de la troisième génération de matériau semi-conducteur SiC (carbure de silicium), a été utilisé dans l'alimentation véhicule à grande échelle, est prévue pour le lancement en 2019 portera commande électronique SiC de la voiture électrique est prévu en 2023 adopté une solution globale de SiC semi-conducteur à base de silicium un semi-conducteur (par exemple IGBT de silicium), ce qui entraîne la génération suivante de modifications électriques de la puce de véhicules.

Avec BYD développé avec succès un nouveau produit au niveau des règles de voiture IGBT4.0, devenir la première voiture d'un niveau de conformité des véhicules de référence IGBTs Chine pour atteindre un niveau de réglementation des entreprises de production de masse IGBTs, mais aussi de briser le monopole des géants internationaux, promouvoir la le développement rapide de l'industrie automobile nouvelle énergie de la Chine.

A propos de la mise en page de l'avenir, BYD a trois vision principale et la planification: Tout d'abord, fabriquer des puces de semi-conducteurs de puissance BYD ont des implications importantes pour les nouveaux véhicules d'énergie, en deuxième lieu, nous devons devenir plus importants fournisseurs de semi-conducteurs de puissance de niveau réglementaire automobile du monde, BYD veut être les derniers (règles de voiture niveau), un leader mondial des semi-conducteurs de puissance pour la « puce Chine » hors des blocs de construction.

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