Wen | Ray Technology leitech
Dans le 13 Février mil Lei Jun, chef de la direction de mil après l'introduction à 10, mis en pause, a annoncé une nouvelle tête de charge.
Le support de la tête de charge de mil 65W de charge rapide, mais moins que le double de la tête de charge standard, et la chaleur plus faible.
Ceci est le nitrure de gallium (GaN) de la tête de charge standard phare de l'avenir.
Qu'est-ce que le nitrure de gallium
Avant que la science de nitrure de gallium, nous devons examiner les connaissances générales du courant.
Il est bien connu pour augmenter avec l'augmentation de l'écran du téléphone mobile et les performances du processeur, réserve de marche du téléphone lui-même et le temps de charge est également des exigences élevées. Comment « plus vite et mieux » est devenu un enjeu important dans la vie du téléphone.
Il y a une demande aurait mis au point au cours des dernières années, Qualcomm, Huawei, OPPO et d'autres fabricants sont en charge a lancé son propre protocole, et constamment itération.
Même l'habituel « Cinq une sécurité » d'Apple, l'iPhone prend également en charge 8 PD contrat d'émission de charge rapide, la vitesse de charge résolue temporairement.
Ensuite la deuxième question, alors: le volume du dispositif de charge.
Comme son nom l'indique, si l'équivalent de puissance au cas de la charge, plus le volume du chargeur, plus la dissipation de la chaleur inévitablement. Si un chargeur ne se précipite pas pour réduire la taille de l'accord de sécurité, il y aura un risque d'incendie et ainsi de suite.
La raison plus profonde, il est la structure du chargeur.
Lorsque la puissance du chargeur de téléphone n'a pas été aussi élevé, en raison de sa structure simple, l'utilisation de la topologie flyback générale. Celui-ci, le plus important, est la fréquence de commutation du TEC.
FET (transistor à effet de champ), est l'utilisation du circuit de commande d'entrée à effet de champ d'un dispositif de semi-conducteur pour commander la sortie du courant de boucle.
Nous avons souvent entendu processus FinFET est une sorte de FET, l'état plan deviendra un transistor classique comme des ailettes (la fin), l'efficacité augmente considérablement la mobilité des porteurs.
Plus près de chez nous, pour le chargeur ordinaire, la fréquence de commutation de centaines de kHz pour passer l'état du TEC est suffisante. Et commutation plus la fréquence, plus le volume.
Mais le problème est d'augmenter la fréquence de commutation des aveugles, il est facile de provoquer la puissance à la chaleur, dangereux.
Pour résoudre ce problème et les gens prennent beaucoup de façons: augmenter la capacité de l'énergie d'inductance de fuite pour atteindre une tension nulle FET tourner (technologie ZVS).
Le nitrure de gallium est joué à ce moment.
FET classique sont faits de base de silicium, mais par rapport au silicium, le nitrure de gallium (GaN) est un composé extrêmement stable qui a une bonne dur, point de fusion élevé, le degré élevé de ionisation.
Si nous pouvons utiliser des matériaux de nitrure de gallium FET pour remplacer le matériel de silicium, le nitrure de gallium ionisantes bon avantage d'un point de fusion élevé, permet à la fréquence de commutation augmente, le volume est réduit de moitié environ.
Dans l'ensemble, nous matériau de nitrure de gallium comparé au silicium traditionnel, il y a trois avantages évidents:
(1) à grande largeur de bande interdite, une conductivité thermique élevée, capable de transporter une densité d'énergie plus élevée, une plus grande fiabilité;
(2) une largeur de bande interdite plus grande et un champ de claquage diélectrique, de telle sorte que le dispositif de réduction de résistance, aider à améliorer le rendement énergétique global du dispositif;
(3) la vitesse de saturation d'électrons et une mobilité de porteurs élevée, de sorte que le dispositif peut fonctionner à grande vitesse.
En 2014, l'Université de Nagoya Professeur Isamu Akasaki, Hiroshi Amano et professeur à l'Université de Californie, Santa Barbara, Shuji Nakamura, parce invention LED bleu a remporté le prix Nobel de physique. Il est important de promouvoir parmi le nitrure de gallium LED bleue avant le développement de nouveaux matériaux, suffisamment académique pour montrer la compréhension du nitrure de gallium.
perspectives GaN
En fait, dès il y a trente ans, le nitrure de gallium a été largement utilisé dans LED. Jusqu'à ces dernières années, progressivement mis en place au téléphone.
En tant que « matériau semi-conducteur de la troisième génération », en GaN optoélectronique, les dispositifs d'alimentation ont une excellente performance à haute température. Phased array radar sur une application à grande échelle des dispositifs RF sur la F22 GaN.
Cette année, on peut dire que l'épidémie de nitrure de gallium, le millet 10 a lancé la version à faible coût du chargeur de nitrure de gallium. Selon un message de confirmation fiable également fourni P40 chargeur de gallium.
Mais dans l'espace mobile, le nitrure de gallium de plus en plus célèbre, plus seulement à cause de la charge rapide, mais l'arrivée de l'ère de 5G.
Comme nous le savons tous, est 5G une fréquence élevée de la scène de communication, bande 5G avec la solution dominante actuelle pour plus de bande de fréquence 4G. Les Etats-Unis poussant la fréquence « ondes millimétriques » devra aller plus loin. Pour cette demande de fréquence élevée, le silicium traditionnel semble avoir été étiré.
Avec cette année, l'introduction à grande échelle de 5G téléphones mobiles, ainsi que la pose des pays 5G station de base, et la solution existante d'arséniure de gallium silicium et que vers le haut. GaN est en mesure d'offrir un meilleur rapport de la consommation d'énergie, et également applicable à 5G station de base plus macro.
En outre, 5G nécessite agrégation de porteuses multiples, et l'amplificateur de puissance de la station de base, le nitrure de gallium peut occuper une place, il faut tout de la chaîne en aval 5G.
Selon les prévisions de l'industrie, à 2023, la taille du marché des dispositifs GaN RF passera à 1,3 milliard $, la plus importante augmentation est appliquée à partir de la station de base.
En plus des communications mobiles, le nitrure de gallium peut se faire aussi bien.
Des choses telles que le chaud et la robotique actuelle, économie d'énergie, la miniaturisation, la puissance doit être le thème principal de ce type de développement de produits, et le nitrure de gallium parfaitement en phase avec leurs besoins.
Et à ne pas négliger dans la nouvelle énergie, la nécessité de relier la voiture d'essai à haute pression, le réseau intelligent, l'énergie solaire, les contrôleurs de l'énergie éolienne, pas le manque de sa présence.
nitrure de Gallium nous
Pour les fabricants chinois, GaN est un « coin de dépassement » opportunités.
Pour des raisons connues, la première génération de « silicium » semi-conducteur (principalement pour résoudre les données informatiques, de stockage), les semi-conducteurs de deuxième génération, « GaAs » (communication en fibre optique), mis au point plus tôt que le point de départ du monde, mais la Chine n'a pas apprécié bonus de R & D.
Dans les « matériaux électroniques stratégiques avancés, » un accent particulier sur le ministère des Sciences en 2016, ce qui a des exigences claires: pour réaliser des dispositifs et circuits RF à base de GaN auto-contrôle ensemble de technologies, la promotion de la puissance semi-conducteurs de troisième génération de la Chine RF peut être dans le domaine développement durable.
Comme Ray dit, le nitrure de gallium il y a vingt ans a été utilisé dans l'industrie LED, champ LED et nos points forts, bien que le domaine des appareils LED et RF ne sont pas trop proches, mais notre pays a encore un certain démarreur avantage.
Et sous l'avantage plus tôt, la Chine a fait de grandes réalisations: 2010 R & D peut produire lui-même plaquette de nitrure de gallium, beaucoup de faible coût par rapport à leurs pairs internationaux. Technologie écart de génération est également réduite de dix à trois ans de semi-conducteurs de génération.
En outre, notre recherche est effectuée pour une gamme complète de nitrure de gallium sur le aval: un matériau de base supérieure (par exemple, Navier Technology), le milieu de modules de dispositifs (par exemple, en anglais Nuosai Ke), et le système sous-jacent et de l'application. Ces dernières années, avec l'expansion du marché GaN, tous les aspects sont là beaucoup de fabricants nationaux.
Bien sûr, l'industrie des semi-conducteurs de courte durée non, la construction écologique 5G est également destiné à des revers difficiles. Mais Ray croire à l'avenir, nous avons l'occasion d'entendre « GaN domestique » Le nom sera de plus en plus.
