Le développement de la technologie est déjà au-delà de notre imagination, l'innovation technologique continue de nous faire sans voix. Rappelant 2017, nous pouvons voir que la limite de vitesse de transmission entre percée à puce nano-LED, d'abord 1nm 72 étages du monde et l'avènement de la technologie de fabrication de la technologie NAND 3D continue d'émerger une série de percées, écrire un nouveau chapitre pour la prochaine ère. A l'occasion du contexte, l'ingénierie électronique OFweek Xiaobian a résumé les 10 projets les dernières avancées technologiques à nos lecteurs, pour tous de comprendre l'avant-garde des tendances de l'industrie de l'électronique.
Tout d'abord, le graphène électrode OLED pour créer une percée majeure
Au début de Janvier 2017, les chercheurs ont produits par électrode OLED graphène, qui est aussi dans le développement de l'industrie graphène OLED a commencé. Il est entendu, le graphène a une haute qualité d'image, un contraste flexible mince, élevé, des caractéristiques de faible consommation d'énergie, il peut créer une dureté élevée, une excellente conductivité, une touche souple, un panneau tactile excellent matériau super transparent. Cette fois, les chercheurs de créer électrode OLED est une percée majeure dans le graphène.
Selon les experts, est fixé à la taille de l'électrode OLED d'environ 2cm x1cm, qui utilise un procédé de dépôt chimique en phase vapeur (CVD), dans lequel du méthane et de l'hydrogène est pompé dans une chambre à vide, la plaque de cuivre a été chauffé à 800 . Les deux générateurs de gaz réaction chimique, et lorsque le méthane a été dissous dans le cuivre, qui est formée sur la surface des atomes de graphène. Une fois que la couche est suffisamment formée, de sorte que l'ensemble du dispositif est refroidi, l'application d'une feuille de polymère protecteur, puis attaque chimique pour exposer le cuivre pur seul graphène de couche atomique.
électronique organique Fraunhofer, faisceau d'électrons et de la technologie plasma FEE chef de projet Dr Beatrice Beyer a dit: « Ceci est un matériaux très exigeants recherche et intégrés percée réelle. Bien que ce n'est pas le premier à utiliser le graphène dans leur construction de l'affichage flexible mais il a été introduit la technologie OLED, a fait un grand pas vers un écran couleur et le temps de réponse rapide ".
Chine graphène Industry Alliance, a déclaré la capacité annuelle actuelle de graphène mondiale de 100 tonnes, les 5--10 prochaines années atteindra kilotonnes. D'ici 2020, la taille du marché mondial de graphène dépassera 100 milliards de yuans.
D'autre part, nos nouveaux dispositifs CMOS de nanotubes de carbone étude 5nm réaliser de nouvelles percées
20 janvier percée de classe mondiale École de groupe de recherche de l'Université de Pékin Zhang Zhiyong et Peng Lianmao fait dans le domaine de l'électronique à base de nanotubes de carbone: pour la première fois pour préparer une longueur de grille 5 nm de transistors à nanotubes de carbone de haute performance, et de prouver ses performances au-delà taille comparable CMOS en silicium (complementary metal - oxyde - semiconducteur) transistor à effet de champ, les performances du transistor poussé à la limite théorique.
Il est entendu que TF en optimisant la structure du dispositif et le procédé de fabrication, la première fois que des nanotubes de carbone grille supérieure longueur de grille CMOS FET est de 10 nm (correspondant au noeud de la technologie 5nm), balançoire sous le seuil de type p et de type n dispositifs (oscillation de sous-seuil, SS) sont 70mV / DEC.
Tubes de carbone de longueur de grille de 5 nm transistors (A, au moyen d'un transistor de tube de carbone vue en coupe TEM du contact métallique, et l'utilisation de graphène comme un balayage de transistor nanotube de carbone micrographie électronique du contact; 5nm C ,; B, des transistors de graphène vue schématique d'un contact NTC comme transfert des tubes de carbone de la courbe de longueur de grille du transistor)
Tubes de carbone comparatifs dispositifs CMOS avec un dispositif de semi-conducteur classique (A, sur la base, B-D, la structure de transistor à effet de champ de comparaison schématique des nanotubes de carbone faisceau de tubes de carbone dispositifs à transistors CMOS et matériaux conventionnels)
la performance du dispositif est non seulement beaucoup plus que tous les dispositifs de nanotubes de carbone ont été publiées, et une tension de fonctionnement inférieure (0,4 V), de type p et les performances du transistor de type n a dépassé de loin le meilleur (le nud 14nm d'Intel) silicium dispositif CMOS performances de fonctionnement à une tension de 0,7V. NTC en particulier des transistors CMOS retard de grille intrinsèque 0.062ps atteint, ce qui équivaut à 14 nanomètres dispositif CMOS à base de silicium (0.22ps) 1/3.
En même temps, le groupe de recherche sur la réduction de la taille de contact a également étudié l'influence sur les performances du dispositif, ce qui réduit la taille globale du dispositif pour explorer la longueur de l'électrode de carbone en contact avec le tube pour réduire les dispositifs de 25 nm, en vertu du principe de garantir la performance du dispositif, pour atteindre la taille globale de 60nm transistor de tube de carbone, et a démontré avec succès la longueur totale de l'inverseur CMOS nanotube de carbone de 240 nm, ce qui est le plus petit circuit nano-inverseur actuellement mis en oeuvre.
En troisième lieu, la rupture entre la puce LED limite de vitesse de transmission à l'échelle nanométrique
À la mi-Février, les dernières recherches sur les chercheurs en technologie nano-puce guide d'ondes couplé lumière CAVITE colonne métallique Université diode (Université de technologie d'Eindhoven) publié dans la revue « Nature Communications ». Les chercheurs montrent un substrat de silicium nanométrique lié à un empilement de couches de LED et couplé à un phosphure d'indium (InP), un guide d'ondes à film mince formant obturateur de couplage.
Il est entendu qu'un tel pilier de nano LED nano-forme submicroniques, l'efficacité de la génération précédente assemblage 1000 fois plus élevées la puissance de sortie à la température ambiante de seulement quelques Naiwa (nW), en revanche, les résultats d'études antérieures sur le niveau de puissance de sortie Piva (pW). Selon les documents de recherche montrent que cet ensemble peut présenter un rendement quantique externe relativement élevé. Pendant son séjour à basses températures, les chercheurs ont publié un niveau de puissance de 50 Nw, correspondant au taux de transmission 1Gb / 400 de plus par photon, ce chiffre est beaucoup plus élevé que le récepteur sur la prise de vue sensibilité du bruit limité. L'opération d'assemblage dans la longueur d'onde de télécommunication (1,55), peut aller jusqu'à une fréquence d'un générateur de forme d'onde d'impulsion pour moduler 5 GHz.
nanométrique schématique LED substrat de silicium en forme de colonne
Les chercheurs disent que, en raison de la faible perte interconnecte courte distance, et l'intégration de la technologie continue du récepteur de progression, le niveau de puissance devrait atteindre les transferts de données internes de la puce source de lumière ultra compact.
Les chercheurs ont également mis au point un procédé de passivation de surface peut être en outre une efficacité accrue de 100 fois de nano-LED, tout en continuant la réduction de la consommation d'énergie en améliorant le contact ohmique.
Quatrièmement, le développement de l'énergie de communication quantique développé une efficacité quantique cent millisecondes mémoire
Université des Sciences et Technologies de Chine Professeur Pan Jianwei et paquets Xiaohui et d'autres ensemble atomique froid dans le monde pour la première fois mis au point un cent millième de seconde mémoire quantique efficace pour la construction du système de répéteur quantique à longue distance a jeté une base solide. Les résultats ont été publiés dans la revue universitaire internationale faisant autorité « Nature Photonics. »
La communication fait référence à l'utilisation de l'effet intrication quantique que l'on appelle une nouvelle méthode de communication transfert d'information. Après vingt ans de développement, la discipline de communication quantique a été progressivement de la théorie à l'expérience, et le développement pratique, les principaux domaines abordés: la communication de la cryptographie quantique, la téléportation quantique à distance et le codage dense quantique. Quantum communication avec une grande efficacité et des fonctionnalités de sécurité absolue, est la physique quantique internationale et l'information mise au point de la recherche scientifique.
Ces dernières années, les problèmes de sécurité du réseau ont été bien reçu l'attention du monde, une variété d'incidents de sécurité réseau fréquents. Avec la « porte de prisme » de développement et d'autres événements et la situation politique mondiale, la sécurité de l'information a causé l'attention du monde. L'avènement du système de communication quantique pour résoudre le problème de l'avenir de l'ère de la sécurité du réseau de l'informatique quantique. Dans les applications de cryptographie quantique, notre pays à l'avant-garde du monde.
En 2012, les scientifiques chinois, le professeur Pan Jianwei, qui USTC les premiers succès une centaine de kilomètres de l'ordre de téléportation quantique espace libre et la distribution enchevêtrement dans le monde, mis au point une mémoire quantique efficace milliseconde, au premier « satellite de communication quantique du monde de lancement « jeter les bases techniques. 16 août 2016 par des scientifiques chinois indépendamment développé le premier satellite expérimental de science quantique du monde « No Mo » a été lancé, il sera la première communication quantique entre le satellite et le sol dans le monde.
Cependant, en 2012, il a développé une mémoire qui stocke encore le temps et les besoins réels du répéteur quantique à longue distance est loin. Ces dernières années, l'équipe Pan Jianwei a développé un certain nombre de techniques expérimentales clés dans les réseaux optiques 3D limiter le mouvement des atomes, et ainsi de suite, de sorte que le mouvement atomique décohérence induite est fortement inhibée, et, en fin de compte, la mise en uvre réussie de la durée de conservation de 0,22 secondes, l'efficacité de lecture de 76% mémoire quantique à haute performance.
Cinquièmement, l'équipe de recherche japonaise a produit une puce de GaN de haute qualité et MOSFET 2 pouces
Mitsubishi Chemical équipe conjointe du Japon et de Fuji Electric, Toyota Institut central de recherche, l'Université de Kyoto, Institut de recherche des sciences et des technologies industrielles résolus avec succès l'élément semi-conducteur de puissance GaN technique clé formée sur des puces de nitrure de gallium (GaN). puissance du carbure de silicium semi-conducteur de puissance semi-conducteur GaN technologie de nouvelle génération. TECHNIQUE Japon accumulé par le développement à diodes électroluminescentes GaN, GaN part de la production de puces de la plus haute occupée du monde. Si l'art antérieur pratique de le faire, le monde sera en position dominante.
Les semiconducteurs de puissance en faveur des appareils à faible consommation d'énergie, les automobiles, les trains, etc., une forte demande industrielle. les semi-conducteurs de puissance GaN, un substrat de silicium formant un des dispositifs à transistor à haute mobilité d'électrons telle qu'une production à base de GaN-latéral a, cependant, GaN est formée sur un métal de substrat de GaN - transistor champ de semi-conducteur d'oxyde à effet études (MOSFET) des dispositifs à haute performance enfance . États-Unis est également en train d'étudier activement le développement de la concurrence mondiale intense.
équipe commune japonaise a fait deux pouces de puce GaN de haute qualité et MOSFET. Mitsubishi Chemical GaN améliorée pour une technologie de production de puces à semi-conducteur de puissance « Méthode d'ammoniac chaud ». L'optimisation des conditions de croissance des cristaux, la densité de défauts moyenne des copeaux, réduits à quelques pour cent d'un milliers classiques, horizontales par 1 cm. Leur but est de faire 2018 l'année afin de réduire davantage les défauts de plus d'un chiffre, quatre pouces pour obtenir la puce de grande taille.
Six, SK Hynix a lancé le premier de 72 étages 3DNAND du monde
11 avril SK Hynix a annoncé officiellement le premier réseau de mémoire flash NAND 256 Go 3D de 72 étages du monde basé sur TLC. C'est une première percée majeure de puces NAND 3D seulement cinq mois après l'annonce, SK Hynix réacquis couche 48 en Novembre ici 2016.
Selon les rapports, par rapport à avant l'introduction de la couche puce NAND 483D, la couche de puce 72 pour augmenter le nombre de cellules par 1,5 fois, d'augmenter la productivité de 30%. Pendant ce temps, en raison de l'addition de la conception de circuits à grande vitesse, la puce 72 couche interne qui tourne à deux fois la puce 48, une augmentation significative de 20% de lecture et les performances d'écriture.
SK Hynix a 72 puces NAND couche 3D sera la production de masse au cours du deuxième semestre de cette année, pour répondre aux besoins des lecteurs de haute performance solide état et appareils de téléphones intelligents.
Sept, les chercheurs américains ont annoncé le processus de fabrication pour atteindre 1 nm
Au début de mai, le ministère américain de l'Énergie (DOE) sous les chercheurs de Brookhaven National Laboratory a annoncé aujourd'hui la création d'un nouveau record du monde, ils ont réussi à produire que la taille 1nm du dispositif d'impression, ou utiliser un faisceau d'électrons au lieu du processus d'impression traditionnelle la technologie d'impression photolithographie.
Ce chercheurs de laboratoire utilisation créative d'un microscope électronique à créer une taille inférieure à la moyenne EBL (imprimante à faisceau d'électrons) qui peut rendre le processus, considérablement réduit la taille du matériel électronique sensible sous l'effet de focaliser les faisceaux d'électrons, à portée le point où un seul atome peut être manipulé. Ils créent cet outil peut modifier considérablement les propriétés du matériau, la transmission de la lumière devient conducteur et l'interaction de ces états.
Cette réalisation est leur centre de nanomatériau fonctionnel dans le Department of Energy, imprimée à partir de 1 nm en utilisant la tige (microscope électronique à transmission à balayage), séparés par 11 nm, un résultat peut être obtenu par millimètre carré dans lequel 1000000000000 la densité de points. La correction de l'écart de la grille de résolution STEM réalisés dans le cadre de l'hydroxyde de silicate 2nm résister à la moitié de 5 nm.
En fait, ce n'est pas la première fois que les scientifiques ont atteint le niveau 1 nm de la technologie, l'année dernière, le département américain de l'énergie en laboratoire dans un autre pays - Lawrence Berkeley National Laboratory a également déclaré processus 1nm, ils utilisent des nanotubes de carbone et le disulfure de molybdène et d'autres nouveaux matériaux. De même, la technologie ne sera pas mise en production de masse rapidement, car ici transistor à nanotubes de carbone avec le PMMA, la lithographie par faisceau d'électrons avec la même technologie des semi-conducteurs de courant ont des différences évidentes, laisser les fabricants à la fois sur les équipements existants il est tout simplement impossible.
Huit scientifiques créent « les plus minces du monde » nanofils
Fin mai, des chercheurs de l'Université de Cambridge, et l'injection de nanotubes de carbone par tellure Warwick (tellure), produit avec succès le « plus plat du monde » nanofil (la largeur des fils est réduite à une seule chaîne atomique).
En fait, dans le monde en trois dimensions (3D), il n'y a pas Junichi dimensions (1D) ou deux dimensions (2D) du matériau. Même une mince feuille de papier, qui a également une épaisseur, par réflexions de simplicité, on peut mettre une seule couche atomique graphène ce matériau est considéré comme étant en longueur et en largeur.
Ce concept « ultime unidimensionnelle nanofil », matériau de graphène à deux dimensions et a en commun. Il est composé de tellure élémentaire, seule la largeur et la hauteur d'un seul atome. Mais pour des considérations de stabilité, des chercheurs ou sera « emprisonné » dans les nanotubes de carbone.
Cependant, cette échelle microscopique unique de l'atome a également apporté quelques problèmes, tels que des atomes, selon les scientifiques souvent déduire le comportement incohérent envisagé. En outre l'absence de limite structurelle, puis une matière à une dimension est facilement décomposé.
Selon les auteurs Paulo Medeiros a dit, en traitant avec ces petits matériaux à l'échelle, en général, il doit être placé sur une surface. Mais le problème est, ces surfaces ont généralement une résistance électrique. Cependant, les nanotubes de carbone sont chimiquement assez inerte, non seulement à une telle structure de fixation à une dimension, il ne modifie pas la conductivité. Ceci est juste le début, nous avons commencé à comprendre le système des propriétés physiques et chimiques à une dimension de la matière, il y a encore beaucoup de connaissances de base de la physique qui nous attendent à découvrir.
De plus l'équipe a également qu'en faisant varier le diamètre des nanotubes, ils sont capables de contrôler d'autres propriétés de tellure. Typiquement, l'élément est un semi-conducteur. Mais dans des conditions de limites strictes, il se comporte plus comme un métal.
Septembre, Apple a annoncé un nouveau brevet peut communiquer avec l'autre voiture du capteur Bluetooth
21 août Apple a annoncé que le dernier brevet, ce brevet est l'utilisation de la technologie des capteurs pour aider à communiquer les uns avec les autres entre les voitures. Cette technique est similaire à la sonde Bluetooth à courte portée de communication sans fil, l'environnement du véhicule peut être balayé, et la transmission de données et d'autres véhicules, des capteurs et GPS.
Il est entendu que le capteur nouvellement développé d'Apple similaire au Bluetooth à courte portée la technologie sans fil qui permet de scanner l'environnement, de communiquer avec d'autres véhicules, les capteurs et les systèmes GPS peuvent également être mis à jour l'affichage du tableau de bord du conducteur pour avertir le conducteur au galop de la route mais après que le véhicule ou l'ambulance. Apple n'a pas dit la technologie sera utilisée pour la zone de conduite automatisée, mais décrit comme similaire à une version améliorée de l'inversion des systèmes de détection radar et des points aveugles qui sont largement utilisés dans les automobiles.
communication mutuelle entre la voiture n'est pas nouvelle, dès 2002 voitures Communications Alliance Broadcom Corporation a travaillé sur la technologie, Qualcomm a une solution similaire.
Apple cette fois-ci pour introduire le capteur Bluetooth est le sens du brevet, le PDG d'Apple Cook a déclaré que, « investit massivement pour mettre en place un système automatisé, l'un des l'application principale est l'automobile. » Système d'exploitation mobile Actuellement Apple a été amélioré carplay, il est conçu avec dans la voiture. Avec chauffeur automatique au volant d'une voiture pour assumer des fonctions plus traditionnelles, comme ce système carplay il pourrait être plus largement utilisé.
X. Qualcomm a lancé le premier jeu de puces modem 5G
17 octobre Qualcomm a annoncé le lancement officiel des premiers chipsets modem 5G pour les terminaux mobiles à Hong Kong, et a démontré avec succès la première connexion de données 5G du monde sur l'appareil mobile. Pendant ce temps, Qualcomm a également montré sa première conception de référence pour téléphone intelligent 5G connexion cellulaire de nouvelle génération.
Qualcomm ce test dans les tests de laboratoire de San Diego Qualcomm Technologies, les expériences montrent que le chipset Snapdragon de Qualcomm X50 modem NR a plus de support 100 MHz 5G pour atteindre Gigabit par seconde vitesse de téléchargement grâce à l'utilisation de ce qu'il est maintenant smartphone 4G LTE télécharger réseau sans fil accélère plusieurs fois plus rapide. Pendant ce temps, Qualcomm également sur la bande à ondes millimétriques terminé une connexion 28 GHz de données, la 5G actuelle Qualcomm bande de base X50 ne supporte que la spécification des ondes millimétriques 28 GHz ondes millimétriques, que la Corée du Sud KT, deux transporteurs américains Verizon soutien.
Pour démontrer 5G connexion de données mobile, Qualcomm a également apporté la conception de référence de la première 5G. Il est rapporté que ce téléphone utilise un plan plein écran, les empreintes digitales avant, support de reconnaissance d'empreintes digitales sous l'écran, caméra arrière double, avec une épaisseur de 9 mm. Qualcomm a dit, 5G smartphones et les réseaux seront disponibles dans le commerce dans la première moitié de 2019, au cours 5G bande de base, la fréquence radio, et d'autres réseaux ont également besoin 1--2 années de temps de débogage.
Cristiano Amon, vice-président exécutif de Qualcomm, a déclaré: « Cette étape importante et notre conception de référence smartphone 5G complète de Qualcomm Technologies sont à l'évolution dans le domaine des terminaux mobiles 5G nouvelle interface air, afin d'améliorer l'expérience mobile à large bande mondiale des consommateurs. »
En fait, l'année dernière, Qualcomm a publié le premier programme 5G bande de base mondiale « Snapdragon X505G Modem », et le sommet passe-haut 5G en Février, a annoncé l'achèvement de ce 5G nouveau test d'interface air (New Radio) et 2018 équipements connexes disponibles.
En plus de Qualcomm, Intel, Apple, Huawei et d'autres entreprises dans les efforts pour promouvoir la révolution 5G. La technologie 5G deviendra probablement la base de popularisation de la technologie des réseaux futurs. Selon le vice-président de l'introduction de technologie Qualcomm QCT Li Weixing, la technologie 5G devrait être utilisé pour la gestion de l'énergie, le domaine des dispositifs portables, les réseaux médicaux, le suivi des objets et la surveillance environnementale.
