Comme la conception et la production de leader mondial innovant en matériau semi-conducteur, la société Soitec en France en Février et Mars de cette année a annoncé nouvelles de pluies continues: En premier lieu, les canaux de vente ouverts en Chine. Soitec équipe chinoise des ventes et ingénieurs techniques fournira un soutien direct aux clients en Chine, le deuxième est de renforcer la coopération avec Shanghai New fiers Technology (Simgui), d'étendre son usine de fabrication à Shanghai, le silicium 200mm de la Chine sur isolant (SOI) la production annuelle, de une production annuelle de 180.000 comprimés a augmenté à 360.000 pièces, avec une capacité de production principalement pour le pilote de périphérique sous tension SOI radiofréquence automobile et de la puissance de l'auto-RF-SOI impliqué dans le domaine, fier nouvelle technologie responsable de la fabrication wafer SOI, Soitec la gestion de la commercialisation des produits dans le monde entier.
écosystème SOI continue à se développer en Chine
Comme une des premières tranches FD-SOI pour atteindre la production à haut rendement de maturité, les applications de produits Soitec comprennent des produits numériques tels que FD-SOI, et un -SOI photoélectrique Imager-SOI, et une applications de communication et d'énergie telles que l'énergie et RF-SOI -SOI . Parmi ceux-ci sont la recherche et le développement indépendant pour les substrats d'optimisation de la production, en particulier plaques SOI wafer bonding révolutionnaire et peau la technologie Smart Cut est le plus connu. Ceci est une couche de silicium monocristallin ultra-mince sur un matériau cristallin est transférée à partir d'un substrat donneur pour les autres technologies de substrat, la plupart des plaques SOI d'aujourd'hui ont adopté la technologie.
Basé sur la technologie Smart Cut pour optimiser le substrat
Depuis 2015, Soitec sera l'activité principale de l'entreprise est définie comme « accélérée pour fournir substrat optimal pour l'industrie de l'électronique. » Pour les trois prochaines années, la performance de l'entreprise a été dans un mode de croissance, à la fin de l'exercice 2018 (fin Mars 2018) un chiffre d'affaires total de 350 millions $, est prévu pour l'exercice 2019 obtenir une augmentation de 35%.
Pour le substrat à semi-conducteur à partir de la chaîne d'approvisionnement pour les entreprises optimiser couvrant les circuits intégrés, la conception du système d'application grâce à la consolidation en 2018 à la fin de 8, Soitec a également acquis une participation majoritaire dans Dolphin Intégration de. Dolphin Integration accent est mis sur le développement de la puce de faible puissance société française, par l'acquisition, les deux parties peuvent apporter une combinaison unique de solutions pour optimiser la gestion de la puissance et une technologie de polarisation de corps vers l'avant sur le marché.
Dr Thomas Piliszczuk vice-président exécutif de la stratégie globale Soitec ne nie pas la conception IP est l'un des points de douleur FD-SOI, mais il a souligné que l'amélioration de l'écosystème, Samsung (28nm, 18nm), le noyau cellulaire (22nm, 12nm) , Renesas (65nm) et ST (28nm), VeriSilicon (VeriSilicon), bras, Synopsys, Cadence et d'autres fabricants pour fournir un produit de propriété intellectuelle très riche, la planche courte au cours des dernières années a été grandement facilité.
« Nous avons choisi d'acquérir Dolphin Integration, au nom du Soitec renforce sa construction de la bibliothèque IP et des services connexes, afin de fournir une solution efficace plus d'énergie pour la puce concepteurs FD-SOI-basé. Voici les principales plaques SOI FD-SOI et autres un facteur important dans la différence, mais aussi pour promouvoir le FD-SOI sur les marchés concernés. « , a déclaré Thomas Piliszczuk.
Et il y a deux semaines, Dolphin Integration avec Global Foundries a également émis conjointement le support de tension de polarisation substrat 22 nm noeud adaptable.
Soitec très tôt soutenir la construction de l'écosystème SOI locale de la Chine. Dès 2007, Soitec a mené une coopération avec l'industrie de la fonderie en Chine et les centres de recherche. 2014, Soitec et Shanghai New fiers Technology Co., Ltd a conclu un partenariat stratégique sur les tranches de 200 mm de SOI et le marché des semi-conducteurs de puissance RF et a signé un accord de transfert de licence et la technologie contribuera à créer l'écosystème SOI localisé en Chine.
À l'heure actuelle, Hass (HiSilicon), montrent forte (RDA / Spreadtrum), Rockchip (Rockchip) et d'autres célèbres entreprises basées sur la technologie SOI a fait une série de percées dans les applications clés 4G, 5G, Aiot, ADAS et centres de données, etc. , avec SMIC et HHGrace en tant que représentant des fonderies de la Chine ont également été fournis à base de produits RF-SOI, noyau cellulaire aussi avec l'ensemble du gouvernement municipal de Chengdu une joint-venture, la même technologie 22nm SOI comme une priorité de développement.
SOI chinois des écosystèmes
En tenant compte du fait que le silicium et le substrat non-silicium optimisé pour 5G communication mobile joue un rôle essentiel dans le domaine du pilote automatique de l'automobile, les connexions de l'industrie et de la réalité virtuelle et d'autres déploiement à grande échelle, récemment, Soitec a annoncé être le premier à rejoindre la Chine 5G centre d'innovation commun mobile des fournisseurs de matériaux, et mettre ses sociétés semi-conducteurs fabless, fonderies, les fournisseurs de systèmes, les fabricants de dispositifs intégrés (IDM), R & D / centres d'innovation, les universités et les associations industrielles établies de longue date réseau mondial de coopération.
Wafer une bonne protection pour 5G et Aiot
Selon le plan, les plans Soitec à 300mm SOI mise à niveau de la capacité tranche de 1,65 millions à 2 millions par an au cours des quatre prochaines années, 200mm capacité de production de tranches de la 900000 actuelle à 1.300.000 à la fin de 2019, la Chine Partenaire Shanghai, la science et la technologie fière nouvelle capacité de production 200mm SOI de plus de 360000. En même temps, l'un des trois investisseurs stratégiques Soitec Silicon Shanghai Industrial Investment Co., Ltd (Groupe National Silicon Industrie, NSIG) en 2016 a également annoncé l'acquisition d'actions Soitec (Shanghai Industrial Investment Co., Ltd dispose actuellement d'un silicium Soitec11.49% des parts) .
vice-président exécutif de Soitec Global Business Unit Bernard Aspar 5G et AI produits Soitec (y compris le FD-SOI, RF-SOI, Photonics-SOI, POA et l'autre avec un groupe de matériaux III-V) deux plus grandes opportunités de croissance, et croire performances différentes de poursuite absolue technologie FinFET, 5G faire avancer les choses, l'intelligence artificielle, et plus préoccupés par les ADAS ces faible puissance, les propriétés de flexibilité, analogique intégré d'application / RF / signal mixte, plus adapté à la technologie FD-SOI, le rapide courant l'utilisation accrue de la tendance a également confirmé ce jugement.
Soitec optimiser la couverture du substrat, une pluralité d'applications
Du point de vue technique, le module frontal RF SOI RF est conçu pour la conception des procédés avancés, 4G / LTE, y compris une application à venir 5G, est l'un des nombreux commutateur d'antenne, l'antenne tuner, un amplificateur à faible bruit (LNA) et de puissance la technique préférée de l'amplificateur, et le remplacement rapide des matériaux traditionnels utilisés pour le dispositif GaAs RF 2012 depuis le début.
Selon Bernard Aspar dit, à l'heure actuelle, 100% du module frontal RF des téléphones intelligents sont basés sur la conception RF-SOI et la production, et est même devenu le commutateur d'antenne standard de l'industrie, un amplificateur à faible bruit et de tuner. Par la pluralité de composants RF sur une puce hautement intégrée, RF-SOI a rencontré 4G et 5G performance souhaitée RF, et de réduire considérablement le coût de l'équipement et la taille de l'appareil, l'application de ce type de IOT est également crucial.
Étant donné que les caractéristiques RF-SOI RF apporte un module frontal de fréquence radio unique, comme une linéarité du signal RF, une faible perte d'insertion, de petite taille, l'intégration élevée, à faible coût, il n'y a pas d'autre technologie peut apporter une valeur similaire. Par conséquent, FD-SOI peut fournir une plate-forme pour l'intégration sans précédent 5G besoin, vous pouvez également apporter des choses à une bande étroite performances de faible puissance supérieure, ce sont les processus FinFET ne peut pas correspondre avantage.
Optimisation du substrat faisant face 5G
Le FD-SOI est une sorte de technologie de traitement numérique de faible puissance conçu pour intégrer un grand nombre de fonctions analogiques à signaux mixtes, si l'appareil est en mode de faible fuite / sommeil ou en mode haute performance, cette technologie peut apporter son unique idéal et naturel Aiot pour les applications mobiles.
Les données montrent que, du point de vue du coût et de la performance des produits finis, 28nm plaquette FD-SOI de 28nm CMOS en vrac (28nm ou 22nm) peut fournir 30-50% des propriétés multiples, 22nm cristal FD-SOI achevé de 14nm FinFET coûte autour de 20-30%, mais comprend une tension de polarisation de fréquence radio, et les avantages de l'intégration, et peut fournir à peu près les mêmes performances.
À l'heure actuelle, NXP, trellis, Synaptics, Rockchip et d'autres fabricants sont basés sur la technologie FD-SOI a présenté les solutions de Aiot connexes.
« La loi de Moore ralentissement, Intel processus de 10nm est bloqué, GF / UMC ont renoncé à la technologie moins avancée 7nm, en revanche, le coût FD-SOI et les performances sont plus raisonnables, qui cache de nombreuses occasions d'affaires qui peuvent aider ces plaquettes plante pour le marché de continuer à fournir des services. « Calvin Chen Soitec directeur des ventes mondiales pour » affaires électroniques internationale », a déclaré que l'augmentation du coût de la conception de la puce afin de rester compétitif et de construire le modèle de profit idéal, il y aura plus de nombreuses entreprises ont choisi de prendre l'initiative d'embrasser la plate-forme SOI.
