Le procédé de fabrication de puce semi-conductrice pour construire de nouveaux cristaux de percées sur une surface très chaude

Le chauffage par induction température du réacteur MOCVD du substrat peut être suffisamment élevée pour une mesure de la croissance des cristaux de nitrure d'aluminium

Les scientifiques Arabie Saoudite Université du Roi Abdullah de la science et de la technologie a développé avec succès un réacteur chimique capable de fonctionner à des températures très élevées, il peut améliorer l'efficacité des processus et l'économie de l'industrie des semi-conducteurs.

Schéma de croissance épitaxiale

En fonction de la production de semi-conducteurs " La croissance épitaxiale « (Épitaxiales de croissance), qui est un procédé de fabrication de dispositif à semi-conducteur, un nouveau cristal croît dans la puce d'origine constituée d'une couche semi-conductrice de la nouvelle technologie. Ce processus est une couche monocristalline par couche par dépôt de couches atomiques sur l'atome de générer de haute qualité la matière, et pour commander les atomes de précision d'épaisseur. la méthode la plus commune est un procédé de dépôt chimique en phase vapeur organométallique épitaxiale (le MOCVD). le dépôt de métal en phase vapeur chimique de molécules organiques contenant de la vapeur pure d'atomes requis (par exemple dans le cas du nitrure de bore injectés dans le réacteur sous le bore et l'azote). molécules se décomposent sur la plaque chauffée, les atomes semi-conducteurs restent sur la surface, tous deux couplés les uns aux autres, en formant une couche de liaison de tranche cristalline.

assistant Li hang

Dr Li Guanghui

Dr King Abdullah University of Science et technologie Li Guanghui (Kuang-Hui Li) et Li Accrocher assistant (Xiaohang Li) a dirigé l'équipe de recherche développe un réacteur MOCVD, le réacteur peut fonctionner efficacement à des températures très élevées, créant ainsi un le nitrure de bore, le nitrure d'aluminium et des matériaux de haute qualité et de dispositifs, en particulier pour une lumière électronique, ultraviolet flexible, et l'électronique de puissance électrique.

nitrure de bore, et de haute qualité croissance épitaxiale de nitrure d'aluminium pour le procédé de MOCVD classique est un véritable défi, le procédé de MOCVD classiques fonctionnent typiquement à 1200 degrés Celsius. Épitaxiales ces matériaux une température supérieure à 1600 degrés Celsius pour la meilleure réponse, mais la chaleur la plus commune du chauffage peuvent devenir peu fiables à ces températures.

Bien que chauffage par induction peut atteindre ces températures, l'efficacité de chauffage de conception classique, mais est très faible. Depuis une surchauffe, et doit donc être placé gaspillage d'énergie d'entrée du gaz loin de la plaquette, qui, pour le nitrure de bore de haute qualité et le nitrure d'aluminium est problématique, car en raison de la faible utilisation de molécules organiques et la production de particules taux.

Université du Roi Abdallah de l'équipe de recherche scientifique et de la technologie a mis au point une nouvelle structure de chauffage par induction à faible coût pour résoudre ces problèmes. Dr Li Guanghui a déclaré: « Notre conception peut grandement améliorer l'uniformité de la tranche de 12 pouces et de réduire la génération de particules, ce qui est essentiel pour la fabrication de matériaux de haute qualité et appareils, il nous permet également de découvrir de nouveaux matériaux. »

Li Hang, a déclaré: « Cette recherche d'équipement comporte de nombreuses disciplines, et très complexe, mais l'expérience historique montre que l'innovation est l'équipement clé et des percées scientifiques de la révolution industrielle. »

Li hang assistant Université Huazhong du diplôme de Science baccalauréat en physique appliquée, maîtrise en génie électrique de l'Université Lehigh aux Etats-Unis, l'obtention d'un doctorat en génie électrique à Georgia Institute of Technology. À l'heure actuelle au service de l'électronique et les professeurs de mathématiques de l'Université Roi Abdullah de la science et de la technologie professeur assistant informatique et directeur de thèse.

Dr Li Guanghui Bachelor of Science en électronique Chine Taiwan Université Jiaotong, Département de Mathématiques Appliquées baccalauréat des sciences de Chine Taiwan Université Jiaotong, Master of Science des matériaux et sciences de l'ingénieur Université du Roi Abdullah de la science et de la technologie, poursuit actuellement étudiant au doctorat à l'école.

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