angle classification
espèce
explication
D'un processus technique
matériel de presse
Silicon transistor 0,6V
Germanium transistors 0,3V
En général:
tube de germanium de type PNP
Un tube en silicium de type NPN
Selon la structure
type PNP
type NPN
Selon le processus de fabrication
Planar
allié
diffus
fréquence de diffusion de type multitubulaire
faiblement allié de type multi-tube
D'une performance
Selon la fréquence
Tube basse fréquence < 3MHz
tube intermédiaire 3 ~ 30 (MHZ)
La haute fréquence de 30 ~ 500 (MHZ)
Tube UHF > 500MHZ
Power
PCM de faible puissance < 0.5W
La puissance de 0,5 < PCM < 1w
PCM haute puissance > 1w
Plus le volume de puissance, plus les besoins de refroidissement.
fonction
utilisation
Interrupteur du tube amplificateur
haute tension du tube phototube
Tube numérique avec tube d'amortisseur
Le contour de l'emballage
En matière d'encapsulation
verre d'emballage métallique encapsulé
emballage plastique d'emballage en céramique
encapsulation de film mince
Les emballages en plastique pour le grand public
emballage métallique coût élevé
Appuyez sur les paquets
À plombé
SMD SOT
SMD remplace progressivement le type de plomb.
Identification du nom de transistor
3
ré
ré
12
X
2: diode
3: transistor
A: PNP germanium
B: germanium NPN
C: PNP silicium
D: NPN Silicon
X: faible consommation d'énergie à basse fréquence
G: puissance à haute fréquence de bas
D: haute puissance à basse fréquence
A: haute fréquence haute puissance
Non.
Spécifications No.
Exemple: 3DD12X NPN type transistor de silicium puissance basse fréquence
2
S
ré
13
B
0: photocellule
1: Diode
2: transistor
Inscription logo
A: PNP haute fréquence
B: PNP tube de faible
C: NPN haute fréquence
D: NPN tube de faible
Electronique ordre d'enregistrement Association
Amélioration du modèle
Exemple: 2SC1895 haute fréquence transistor NPN
JANS
2
N
2904
A
JANTX: corps spécial
JANTXV: forces super-spéciales
JANS: qualité aérospatiale
(Non): Fournitures non militaires
1: Diode
2: transistor
"N": n PN élément de jonction
marque d'immatriculation EIA
numéro de séquence d'enregistrement EIA
Avez-fichier différent
Exemple: JANS2N2904 transistor de qualité aérospatiale
B
C
208
A
A: tube de germanium
B: Tube en silicone
C: de faible puissance à basse fréquence
D: haute puissance à basse fréquence
F: fréquence de faible puissance
L: puissance à haute fréquence
numéro de séquence d'enregistrement
Les autres stalles ß
Exemple: BC208A basse fréquence faible des transistors de puissance, un matériau de silicium
