ABRITERA Juin 30 nouvelles plus tôt cette semaine dans l'appel conférence sur les résultats avec les investisseurs et les analystes financiers détenus sur Micron son avenir à long terme et la confiance exprimée dans sa forte demande de produits, la société a également indiqué élargir plan de production peut, et a rapidement tourné aux technologies de processus plus avancés.
Micron a dit: « Nous croyons que par l'intelligence artificielle, voiture automatique au volant d'une large gamme de tendances à long terme, 5G et des choses telles que lecteur, la mémoire et le stockage des perspectives de demande à long terme convaincante » PDG Micron Sanjay Mehmet Tel ( Sanjay Mehrotra) dit. « Micron est prêt à tirer profit de ces tendances, les produits innovants, la chaîne d'approvisionnement pour répondre rapidement à établir de bonnes relations avec les clients dans le monde entier. »
parce que L'offre dépasse la demande , Au cours des derniers trimestres les prix des DRAM ont fortement baissé. Afin de réduire les coûts et se préparer à l'émergence de nouvelles applications de la mémoire, les fabricants de DRAM se tournent activement vers une technologie plus récente. En même temps, bien qu'ils admettent Nécessité d'équilibrer l'offre et la demande de DRAM Mais ils ont effectivement développé plans d'expansion des capacités agressives Parce qu'ils ont besoin d'espace plus propre pour la technologie de fabrication à venir.
Micron a une feuille de route positive en termes de processus de fabrication, nous avons ajouté quatre noeuds 10 nanomètre ( Un total de 10 technologie du nanomètre 6 ), La société est en train d'étudier le dernier moment de la transition vers l'extrême ultraviolet (LEUV) est. Micron se développe également sa capacité de production pour la production de la mémoire de nouvelle génération pour les applications de la prochaine génération, sont les modules de mémoire 32 GB prêts à la consommation, prêt pour le serveur 64 GB DIMM.
Plus tôt ce mois-ci, nous avons signalé que des puces de mémoire 16 Go DDR4 Micron, la puce utilise les années de l'entreprise La deuxième génération 10 nm processus de fabrication ( Aussi appelé nm 1Y ) Production. Les puces DRAM ont été utilisées pour les données et ICR des modules de mémoire 32 Go DDR4, ces produits seront également sur le marché peu après.
ICR de Micron d'une mémoire unique de 32 Go
Dès Avril, en réponse à une demande accrue de DRAM et les nouvelles technologies, la mémoire Micron Taiwan (ancien Rex Opto Semiconductors) de sol a endommagé une nouvelle salle blanche.
stockage Micron (Taiwan) déjà utilisé dans la première génération de 10 techniques de fabrication à l'échelle nanométrique Micron (également connu sous le nom nm 1X ) DRAM produits manufacturés, et un accès direct à la 3ème génération 10 technologie nanométrique dans un avenir proche ( Aussi connu sous le nom 1Z nm ). En même temps, l'année dernière, Micron près de Taichung a ouvert une nouvelle installations d'essai et d'emballage, la création d'un monde unique Intégré de l'installation Verticalement production DRAM Un.
En outre, Micron a annoncé son intention d'investir 2 milliards $ dans l'usine publique près de Hiroshima, au Japon, pour une nouvelle salle blanche. Selon les rapports, la nouvelle capacité de production pour le fabricant de DRAM Micron est la technologie de processus 13 nanomètres.
Dans l'ensemble, Micron aura Une pluralité de noeuds 10 à l'échelle nanométrique . En plus de la première et de seconde génération 10 technologie de processus nanométrique actuellement en cours d'utilisation, Micron également prévu d'introduire au moins quatre 10 processus de fabrication nanométrique: 1Z, 1, 1 et 1 .
Actuellement, Micron sont de deuxième génération 10 nm processus de fabrication (par exemple 1Y nm), y compris les années de l'entreprise 12 Gb et 16 Gb LPDDR4X DDR4 Dispositif de mémoire.
est actuellement reconnu 1Z de nm de nouvelle génération de la société par les clients (qui est, ils testent l'utilisation d'une variété de processus de production de puces), devrait annoncer dans un avenir proche, la technologie sera utilisée pour la production de 16 Gb LPDDR5 dispositifs de mémoire GDDR5 et dispositifs de mémoire .
À la suite de noeud 1Z nm, plans Micron pour commencer à utiliser sa technologie de fabrication de 1nm afin d'obtenir des rendements plus élevés, ce qui signifie qu'il est à la fin du développement de la scène. Après un procédé de fabrication de 1nm, le processus en est à ses premiers stades de développement.
Micron n'a pas précisé si après le processus de 1nm directement dans le EUV. La société évalue la fonction du scanner à pas Twinscan NXE ASML et l'utilisation d'autres équipements pour LEUV produit, et quand ces outils sont disponibles pour l'évaluation de la fabrication DRAM.
(Cet article compilé à partir AnandTech)
