Nous avons mis l'accent sur « la technologie de base doit être dans leurs propres mains. » Et ce, indépendamment de tout champ poursuivent activement l'objectif est la priorité absolue pour le développement des entreprises. Dans le secteur automobile, en particulier à l'ère de l'électricité à venir aujourd'hui, de plus en plus de marques ont commencé à développer leurs propres modèles électriques, un nombre croissant de technologies de véhicules électriques dans notre vision, nous disons aujourd'hui est que véhicule électrique IGBTs domaines sont une technologie plus importante. Soit dit en passant, il est une valeur que mention actuellement utilisé dans le secteur automobile ont été surmontés BYD IGBTs et maîtrisé la technologie de base.
10 décembre BYD Ningbo a publié la technologie IGBT4.0 avec le niveau de signification de référence de la réglementation dans le domaine de la voiture, ce qui démontre une nouvelle fois sa position de leader dans le domaine des véhicules électriques. Ce soir, BYD sera l'horizon d'aliénation à long IGBTs terme, mais a appelé la technologie de base de CPU des véhicules électriques mise sous le « feu des projecteurs. » Lors de la conférence, BYD a également annoncé une mise en page plus d'excellentes performances de matériau semi-conducteur de troisième génération SiC, et accélérer son application dans le domaine des véhicules électriques.
IGBT nom (Insulated Gate Bipolar Transistor) « grille isolée du transistor bipolaire », la puce et la cellule de batterie et les véhicules électriques dits « dual-core », est la technologie clé affecte la performance des véhicules électriques, le coût de la comptabilisation des coûts de véhicule d'environ 5%. N IGBT de tension d'amplification, la mise en marche peut être considéré comme un fil, en tant que circuit ouvert quand il est éteint, peut être comprise comme un interrupteur « non-through qui est off ». dispositif IGBT est le noyau de la conversion de l'énergie et de la transmission. En utilisant la conversion de puissance IGBT, peut améliorer l'efficacité énergétique et la qualité est la technologie clé pour résoudre le problème de la pénurie d'énergie et réduire les émissions de carbone.
Pour les véhicules électriques, le contrôle direct du système d'entraînement IGBT DC, AC conversion, il détermine le couple maximal et la puissance de sortie du véhicule.
Application de IGBTs dans le domaine des véhicules électriques font face à de nombreux défis, y compris la vie plus, adapter aux conditions d'utilisation complexes (température, les conditions routières, de fréquents démarrages et arrêts, etc.), et pour la demande se rencontrent à la consommation, le prix doit être maintenu dans une fourchette raisonnable, etc. .
Les données montrent que le développement de la Chine, mais a sérieusement IGBTs retard par rapport à la grave pénurie d'IGBT haute fin de la capacité de production, la dépendance à long terme sur le géant de l'offre internationale. Avec le développement futur de nouveaux véhicules d'énergie, il est prévisible des prochaines années, l'offre mondiale de niveau de conformité véhicule marché IGBT deviendra plus intense.
De plus, un nouveau dispositifs électroniques de puissance que grand public, dans le transport IGBT ferroviaire, réseau intelligent, l'aéronautique, les véhicules électriques, de nouveaux équipements d'énergie et applications industrielles très large, aussi, est la technologie de base dans ces applications.
Et grâce à l'IGBT et d'autres domaines de la technologie de base puissante, des performances extraordinaires BYD voitures électriques au sol et ont la capacité de poursuivre la mise à niveau itérative.
Comme première voiture de la Chine pour obtenir une production de masse de niveau IGBT conformité, est la seule société en Chine a une chaîne IGBTs industrielle complète des prix des voitures, la conférence, BYD a également publié une autre lourde nouvelles: BYD a investi massivement la mise en page plus d'excellentes performances de matériau semi-conducteur de la troisième génération de SiC (carbure de silicium), équipé de SiC est prévu de lancer la commande électronique de la voiture électrique en 2019. Devrait 2023, les voitures électriques BYD seront entièrement équipées avec SiC à commande électronique.
BYD a lancé IGBT4.0, conduisant la phase de développement réglementaire puissance voiture de semi-conducteursEst une sorte IGBT de semi-conducteurs de puissance automobile, en raison du seuil élevé pour la conception, la technologie de fabrication, gros investissement difficile, était connu comme la technologie de base des véhicules électriques «pointe Chu Mu Lama. » Auparavant, la technologie est principalement entre les mains des géants internationaux.
Afin de briser le goulot d'étranglement de la technologie IGBT, quelles sont les difficultés à développer?
Tout d'abord, les exigences techniques de la plus élevée à puce. IGBT seule puce taille ongle humain, mais il devrait, en vue que sous un microscope sur lequel un circuit est microstructure gravé des centaines de milliers ou des centaines voire de milliers, bien que ce soit, même si un dispositif de commutation, mais autant de paramètres impliqués plus d'une douzaine, parmi de nombreux paramètres contradictoires, selon les arbitrages doivent être appliquées.
Pendant ce temps, le processus de fabrication de plaquettes est difficile: le plus important se reflète dans le traitement des feuilles. 1200V FS en utilisant la dernière technologie IGBT, plaquette amincissement de l'épaisseur requise de 120 microns, puis après plus de 10 étape de traitement. Et le processus de fabrication de la plaquette nécessite la propreté élevée, la plante a besoin d'une station d'épuration, dans lequel l'un des critères pour être dans un espace de 1 pied cube, plus de 0,5 micron ne sont pas plus d'un. normes de fabrication qui l'eau nécessaires pour atteindre l'eau ultra-pure, pour atteindre cette norme, le besoin de passer par 20 couches de purification.
IGBTs est extrêmement difficile à fabriquer en application à grande échelle de la jauge d'épaisseur de wafer voiture niveau de la puce 1200V IGBT, BYD est un niveau mondial avancé, l'épaisseur de la plaquette peut être aminci à 120um (environ deux poils de diamètre du fil).
Deuxièmement, grande conception du module IGBT de difficulté, doivent être considérés en fonction de la matière, la structure de dissipation de la chaleur, la densité de puissance, l'apparence, le poids et beaucoup d'autres indicateurs. Dans la fabrication du module, pas de gros éclats de soudure vides, la technologie de liaison de fil et des tests de haute fiabilité sont difficiles.
fil de la puce IGBT
Un revêtement de résister à l'étape
Grand implantation par faisceau d'ions pendant la fabrication plaquette
2017 les ventes mondiales d'environ 5 millions de voitures électriques, qui consomment un total d'environ un contrôle IGBT 1,8 G $, en moyenne environ 450 $ par véhicule. Actuellement utilisé en IGBTs la Chine chaque année, 90% dépendante des importations. Les principaux fabricants internationaux sont "Siemens, Infineon, Fairchild, Mitsubishi, Fujitsu, Toshiba" Ces fabricants vétérans. Et l'un des « IGBT de puissance à haute tension » est le coeur du noyau du système d'alimentation des véhicules électriques, la production nationale actuellement en mesure de puce IGBT de puissance à haute tension et les entreprises de production de véhicules d'occasion, seulement deux, et l'un d'entre eux est le BYD!
Avoir percée telle est également indissociable du développement des voitures électriques dans les nouveaux véhicules à la politique énergétique et la charge des marchés de pile de la Chine dans l'épidémie, l'industrie chinoise IGBTs pour accélérer la localisation de la politique nationale et de promouvoir et de traction sur le marché des grands projets Bien entendu, il est formé un motif IDM et le modèle de fonderie de la chaîne industrielle complète IGBT. Les fabricants nationaux non seulement pour réaliser une percée technologique, mais le succès de la localisation des IGBT utilisés dans les véhicules neufs d'énergie. Et ici disent les fabricants nationaux, le plus important est le BYD.
Certains fabricants nationaux BYD et ont cassé avec succès le monopole dans ce domaine, pour obtenir une localisation.
Après 10 ans d'accumulation de la technologie, BYD itération constamment mis à jour IGBTs. De 2003 à 2005, mis en place l'équipe R & D de IGBT et IGBT au lancement en 2009, marque une percée en Chine pour réaliser une technologie IGBT, brise le monopole des géants internationaux, pour promouvoir l'industrie des puces électroniques de la Chine et nouvelle industrie automobile de l'énergie le développement a des implications profondes.
En 2009, BYD a publié la technologie 1.0 IGBTs, les couches moyennes de l'itération après 2.0, 2.5, et maintenant la technologie 4.0 a été IGBTs en mesure de surperformer les concurrents sur des indicateurs techniques, a atteint le niveau avancé du monde:
1. La capacité de sortie de courant que le courant de l'IGBT dominante sur le marché de 15% supérieur, supporté par une accélération du véhicule plus forte et une plus grande capacité de sortie de puissance.
2. Les mêmes conditions, une perte globale a diminué d'environ 20% par rapport au marché grand public actuel IGBT. Cela signifie que le courant à travers le dispositif d'IGBT, la perte est réduite par la consommation d'énergie du véhicule est considérablement réduite. toute nouvelle génération de Tang BYD, par exemple, dans le cas d'autres conditions demeurent inchangées, la seule technologie, le succès des cent kilomètres pour réduire la consommation d'énergie d'environ 3%.
3. La vie du cycle de température peut faire plus de 10 fois le marché actuel IGBT grand public. Cela signifie que BYD voitures électriques en réponse à des conditions climatiques extrêmes, les conditions routières, d'avoir plus fiable et plus la durée de vie. Auparavant, BYD voitures électriques sur ses excellentes performances et la stabilité de fiabilité, l'achèvement de la température élevée du Xinjiang Turpan, à l'Europe du Nord arctique, à haute altitude les plus exigeants du monde environnement naturel du plateau tibétain et d'autres tests, et plus de 300 marchés dans le monde entier a connu succès toutes sortes de conditions météorologiques, les conditions routières, test habitudes de conduite, largement reconnu.
BYD IGBT4.0 que le marché actuel IGBT grand public: 15% de plus la capacité actuelle de production, la perte globale a diminué d'environ 20%.
En Novembre 2018, BYD déjà a demandé des brevets 175 igbt, dont 114 brevets délivrés. Charge cumulée sur IGBTs 500000, le kilométrage de vélos sur 500000 km.
BYD a été IGBTs en termes de niveau leader mondial, mais aussi en Chine et en Europe dans le domaine des IGBTs, Japon, troisième du monde.
Accumulez, pour construire la voiture électrique de référence de la performanceDans la juste conclu 2018 Guangzhou Auto Show, BYD Tang nouvelle génération de EV pré-vente officiellement. Ses cent milles à l'heure 4.4 secondes, kilométrage 600 km (60 km / h Vitesse constante et de la vie de la batterie) de super performances encore une fois une position de leader dans l'industrie et hautement reconnus par les consommateurs, les commandes pré-vente pour la journée casseront 2000.
Académie chinoise des sciences, le National 863 « d'économie d'énergie et de nouveaux véhicules de l'énergie, » grands projets chef d'équipe Ouyang Ming Gao ensemble a hautement apprécié BYD Tang nouvelle génération de « prêt à rivaliser avec tout dans le monde pour une entreprise automobile sur la technologie du véhicule électrique, représente le courant électrique le plus haut niveau de la fabrication automobile ».
De plus le marché et la reconnaissance de l'industrie, BYD est inséparable de IGBTs la tenue de la technologie de base. Merci à l'excellente performance en termes de perte de puce BYD IGBTs, la capacité de production actuelle, plug-in hybride, d'abord BYD pour porter le « 542 » Black Science et technologie - « cent mph dans les 5 secondes, à temps plein pouvoir de quatre roues motrices, cent kilomètres 2 litres ou moins ".
De 2015-2017, BYD ventes de véhicules électriques pendant trois années consécutives au premier rang dans le monde. Ceci est inextricablement lié à BYD avant à la mise en page et d'autres technologies IGBT de base.
Il y a dix ans, lorsque le monde extérieur n'est pas optimiste quant aux perspectives pour les véhicules électriques, « Lunatic Fringe » la mise en page de Wang de la technologie de base des véhicules électriques. Comme en 2003 avant d'entrer dans l'industrie automobile, les nouveaux joueurs, BYD dès le départ, porter une attention particulière à la recherche indépendante et une technologie innovante de base etc IGBT des véhicules électriques.
En 2005, BYD a mis en place leur propre équipe de R & D, investi fortement mise en page industrielle de IGBT.
Septembre 2009, BYD puce IGBT par l'identification des réalisations scientifiques et technologiques branche électronique de l'Association chinoise Industrial Electrical Equipment, l'organisation du pouvoir, brisant le monopole des géants technologiques internationaux.
À l'heure actuelle, BYD a progressivement maîtrisé la conception de la puce IGBT et la fabrication, la conception module et la fabrication de plate-forme d'applications de test de composants à haute puissance, alimentation électrique et de contrôle électronique et d'autres domaines, la Chine est la seule entreprise avec une chaîne industrielle complète des prix des voitures IGBTs.
IGBT4.0 la production actuelle est encore limitée à la fin de cette année pour atteindre une capacité de production mensuelle de 50000, devrait à l'horizon 2020 années, la production a atteint 100000. En même temps, le module de production automobile IGBT mensuel courant a atteint 50000, BYD investira plus de 1 milliard sur l'expansion, prévu en Juin 2019 La production mensuelle pourrait atteindre 100000.
En plus de fournir la demande intérieure, BYD a également des plans pour être ouverts pour le produit. Chen Gang a déclaré que le développement actuel est 1200V IGBT niveau réglementaire automobile, le développement simultané de positif et 650V 700V, sera certifié l'année prochaine pour soutenir les clients externes.
Avant la mise en page SiC, BYD veulent mener une nouvelle fois la révolution voiture électrique« Tame » les sites de tour, BYD sur IGBTs avenir plus lointain.
Bien que dans la prochaine longue période de temps, restera IGBTs en pénurie. Mais BYD a également été prévu, avec les performances des véhicules électriques continuent d'augmenter, les composants semi-conducteurs de puissance mis en avant des exigences plus élevées, le moment de s'approcher aussi IGBTs les limites de performance du silicium. Cherchez des pertes de puces plus faibles, la capacité de production plus courant, les nouveaux matériaux semi-conducteurs sont plus résistants à des températures élevées, il est devenu le consensus général des milieux universitaires et de l'industrie.
A rapporté que BYD a beaucoup investi agencement troisième matériau semi-conducteur SiC de génération, et un matériau intégré (poudre de carbure de silicium de haute pureté), un cristal unique, épitaxiale, la puce, et ainsi la chaîne de l'industrie de l'emballage semi-conducteur à base de SiC, dédiée à la fabrication des dispositifs SiC diminution les coûts et d'accélérer son utilisation dans le domaine des véhicules électriques.
La conférence, BYD a annoncé qu'elle a développé avec succès un MOSFET SiC (Les semi-conducteurs de puissance automobile tels que le silicium ou à base de carbure de silicium, y compris des matériaux tels que la construction ou IGBT MOSFET), équipé de SiC est prévu de lancer la commande électronique de la voiture électrique en 2019. Attendu 2023, BYD dans son véhicule électrique, le véhicule pour atteindre un IGBT de puissance à semi-conducteur à base de SiC à remplacer entièrement le silicium, le rendement du véhicule dans la base actuelle augmentée de 10%.
BYD sixième division et directeur général de la division solaire Chen Gang a déclaré: « MOSFET SiC deviendra la BYD voiture électrique est une nouvelle génération de mise à jour itérative continue « tueur », nous nous attendons à l'accélération, endurance et d'autres indicateurs de performance, pour la majorité des consommateurs d'autres surprises ".
Dans le passé, depuis longtemps, la technologie de base de IGBT est toujours entre les mains des fabricants étrangers, IGBTs la part de marché haut de gamme de 90% monopole géant international, conduisant à « un noyau dur à trouver », comme une contrainte à l'industrie des véhicules électriques de la Chine en bonne santé et rapide le principal goulot d'étranglement.
Selon l'un des trois distributeurs principaux composants électroniques de statistiques Future Electronics (Future Electronics LTD) du monde, en 2018, le niveau régulation du cycle de livraison de voiture module IGBT a atteint jusqu'à 52 semaines (dans des circonstances normales, le délai de livraison pour IGBTs 8-12 semaines). Et 2018-2022, le CAGR de voiture électrique globale de 30%, mais le taux de croissance annuel composé sur la même période voiture règles niveau marché est seulement 15,7 IGBT%. Il est prévisible que le niveau quelques années offre IGBTs la régulation du marché automobile mondial deviendra plus intense.
En bénissant la technologie de base de semiconducteurs de puissance, BYD rangs au cours des trois dernières années, les ventes mondiales de la première voiture électrique, et stimuler le développement rapide de l'industrie des véhicules électriques de la Chine - il est dans ces trois années, la production de véhicules électriques de la Chine et les ventes ont continué de plomb mondiale, les avoirs mondiaux représentant plus de 50%.
Il y a dix ans, BYD briser le monopole des géants internationaux de la technologie IGBT, le développement rapide des véhicules électriques de la Chine, aujourd'hui, BYD a lancé une nouvelle IGBT4.0 de niveau réglementaire de voiture, pour changer de voie pour dépasser l'industrie automobile de la Chine, fournissant des puissants " noyau Chine ". Avenir, ainsi que l'introduction de SiC BYD et application à grande échelle, l'industrie automobile chinoise « re-up » aura une nouvelle puissance de boost.
Cet article de la connexion d'une nouvelle auto-énergétique globale: BYD Auto, la science et la technologie Sina, China Netcom Corporation, et d'autres médias source d'information automobile tycoon
